Microsemi Corporation - JAN1N4988CUS

KEY Part #: K6479712

JAN1N4988CUS ფასები (აშშ დოლარი) [3027ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.31087
  • 100 pcs$9.63039

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4988CUS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 180V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4988CUS electronic components. JAN1N4988CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4988CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4988CUS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4988CUS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 180V 5W D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/356
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 180V
ტოლერანტობა : ±2%
ძალა - მაქსიმუმი : 5W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 450 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 136.8V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 1A
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : E-MELF
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA