Ნაწილი ნომერი :
FQP2N40-F080
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
400V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
5.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
150pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
40W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-3
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3