Ampleon USA Inc. - BLM7G1822S-80ABGY

KEY Part #: K6465771

BLM7G1822S-80ABGY ფასები (აშშ დოლარი) [2120ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$29.14317
  • 100 pcs$28.99818

Ნაწილი ნომერი:
BLM7G1822S-80ABGY
მწარმოებელი:
Ampleon USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLM7G1822S-80ABGY electronic components. BLM7G1822S-80ABGY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLM7G1822S-80ABGY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLM7G1822S-80ABGY პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BLM7G1822S-80ABGY
მწარმოებელი : Ampleon USA Inc.
აღწერა : RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS (Dual)
სიხშირე : 2.17GHz
მოიპოვე : 31dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 40mA
Ძალის გამოსავალი : 4W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : SOT-1212-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 16-HSOP
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

  • AFT27S006NT1

    NXP USA Inc.

    FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.