Ნაწილი ნომერი :
FCP190N60E
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
82nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3175pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
208W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-3
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3