Microsemi Corporation - APTGT50H60T2G

KEY Part #: K6533661

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ and ტირისტორები - TRIACs ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T2G electronic components. APTGT50H60T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APTGT50H60T2G

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : MOD IGBT 600V 80A SP2

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Obsolete

IGBT ტიპი : Trench Field Stop

კონფიგურაცია : Full Bridge Inverter

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 80A

ძალა - მაქსიმუმი : 176W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.15nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : Yes

ოპერაციული ტემპერატურა : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SP2

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP2

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

ცხელი ნაწილები