Winbond Electronics - W97AH6KBVX2E TR

KEY Part #: K939812

W97AH6KBVX2E TR ფასები (აშშ დოლარი) [27053ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.46642
  • 3,500 pcs$2.45415

Ნაწილი ნომერი:
W97AH6KBVX2E TR
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C T&R
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - კარიბჭის მძღოლები, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები and ჩაშენებული - მიკროკონტროლები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W97AH6KBVX2E TR electronic components. W97AH6KBVX2E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W97AH6KBVX2E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W97AH6KBVX2E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W97AH6KBVX2E TR
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 134-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 134-VFBGA (10x11.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube