Microsemi Corporation - JAN1N4492C

KEY Part #: K6479772

JAN1N4492C ფასები (აშშ დოლარი) [4218ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$10.27016
  • 100 pcs$9.82363

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4492C
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 130V 1.5W DO41. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4492C electronic components. JAN1N4492C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4492C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4492C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4492C
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 130V 1.5W DO41
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/406
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 130V
ტოლერანტობა : ±2%
ძალა - მაქსიმუმი : 1.5W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 500 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250nA @ 104V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-41

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • BAV70-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 250mA 2.0 Amp IFSM

  • BAV99-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 70V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70V 250mA 4.5A IFSM Dual Series