ON Semiconductor - FFH50US60S

KEY Part #: K6441514

FFH50US60S ფასები (აშშ დოლარი) [19897ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.05807
  • 10 pcs$1.84830
  • 100 pcs$1.51429

Ნაწილი ნომერი:
FFH50US60S
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 50A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50A 600V Stealth
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FFH50US60S electronic components. FFH50US60S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FFH50US60S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FFH50US60S პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FFH50US60S
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 50A TO247
სერიები : Stealth™
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 50A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.54V @ 50A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 124ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-247-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247-2
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • MB2045C-61HE3J/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO263AB.

  • MBRB750HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.