Vishay Siliconix - SI7114DN-T1-GE3

KEY Part #: K6397553

SI7114DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [122476ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.30200
  • 3,000 pcs$0.25520

Ნაწილი ნომერი:
SI7114DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7114DN-T1-GE3 electronic components. SI7114DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7114DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7114DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7114DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FCD7N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.