Microsemi Corporation - APTGL475DA120D3G

KEY Part #: K6533033

APTGL475DA120D3G ფასები (აშშ დოლარი) [854ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$54.36484
  • 100 pcs$51.92314

Ნაწილი ნომერი:
APTGL475DA120D3G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 610A 2080W D3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGL475DA120D3G electronic components. APTGL475DA120D3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGL475DA120D3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGL475DA120D3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGL475DA120D3G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 610A 2080W D3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 610A
ძალა - მაქსიმუმი : 2080W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 400A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 24.6nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : D-3 Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D3

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ