NXP USA Inc. - BUK752R7-60E,127

KEY Part #: K6412084

[13568ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BUK752R7-60E,127
    მწარმოებელი:
    NXP USA Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK752R7-60E,127 electronic components. BUK752R7-60E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK752R7-60E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK752R7-60E,127 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BUK752R7-60E,127
    მწარმოებელი : NXP USA Inc.
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    სერიები : TrenchMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 158nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 11180pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 349W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRFR3412PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRFR15N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

    • IRFR3505PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3411PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

    • IRLR3915PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.