Infineon Technologies - SPP03N60C3HKSA1

KEY Part #: K6413209

[13179ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SPP03N60C3HKSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies SPP03N60C3HKSA1 electronic components. SPP03N60C3HKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP03N60C3HKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPP03N60C3HKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SPP03N60C3HKSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 135µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 400pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 38W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3-1
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • FQD2N80TM_WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

    • IRFR3412TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRLR024ZTRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

    • IRLR3114ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.