Infineon Technologies - BA592E6327HTSA1

KEY Part #: K6465377

BA592E6327HTSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1093817ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03398
  • 3,000 pcs$0.03382
  • 6,000 pcs$0.03194
  • 15,000 pcs$0.02912
  • 30,000 pcs$0.02724
  • 75,000 pcs$0.02442
  • 150,000 pcs$0.02348

Ნაწილი ნომერი:
BA592E6327HTSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BA592E6327HTSA1 electronic components. BA592E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BA592E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BA592E6327HTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BA592E6327HTSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
დიოდის ტიპი : Standard - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 35V
მიმდინარე - მაქს : 100mA
Capacitance @ Vr, F : 1.1pF @ 3V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 500 mOhm @ 10mA, 100MHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : SC-76, SOD-323
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SOD323-2

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ