1N4006G B0G ფასები (აშშ დოლარი) [3549200ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01042
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N4006G B0G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006G B0G electronic components. 1N4006G B0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006G B0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4006G B0G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N4006G B0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-204AL (DO-41)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A
-
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
V8P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
-
V8P15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
-
V12PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 4.1A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
-
AR3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,400V,Fast RecoveryAvalanche SM
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置