Powerex Inc. - C430BX500

KEY Part #: K6458757

C430BX500 ფასები (აშშ დოლარი) [1211ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$35.76274
  • 30 pcs$34.82194

Ნაწილი ნომერი:
C430BX500
მწარმოებელი:
Powerex Inc.
Დეტალური აღწერა:
THYRISTOR DSC 760A 200V TO-200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Powerex Inc. C430BX500 electronic components. C430BX500 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C430BX500, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C430BX500 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : C430BX500
მწარმოებელი : Powerex Inc.
აღწერა : THYRISTOR DSC 760A 200V TO-200AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : -
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : -
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : -
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) : -
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) : -
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : -
SCR ტიპი : Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode