Advanced Linear Devices Inc. - ALD114935PAL

KEY Part #: K6521930

ALD114935PAL ფასები (აშშ დოლარი) [22107ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.86416
  • 50 pcs$1.10788

Ნაწილი ნომერი:
ALD114935PAL
მწარმოებელი:
Advanced Linear Devices Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD114935PAL electronic components. ALD114935PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD114935PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD114935PAL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ALD114935PAL
მწარმოებელი : Advanced Linear Devices Inc.
აღწერა : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
სერიები : EPAD®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET თვისება : Depletion Mode
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 10.6V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 Ohm @ 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.45V @ 1µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2.5pF @ 5V
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PDIP

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • J113-D74Z

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 625MW TO92.

  • MMBF5434

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23.

  • MMBFJ175

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • BSR58

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23.

  • MMBFJ271

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • SI4808DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.