STMicroelectronics - STB18N55M5

KEY Part #: K6416068

[8318ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    STB18N55M5
    მწარმოებელი:
    STMicroelectronics
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF and დენის მართვის მოდული ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in STMicroelectronics STB18N55M5 electronic components. STB18N55M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB18N55M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB18N55M5 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : STB18N55M5
    მწარმოებელი : STMicroelectronics
    აღწერა : MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
    სერიები : MDmesh™ V
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 550V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 192 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±25V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1260pF @ 100V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 110W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5803TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLR2905TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRLR2703TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR024NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.