Ნაწილი ნომერი :
MBR200150CTR
მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
დიოდური კონფიგურაცია :
1 Pair Common Anode
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) :
100A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
880mV @ 100A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
3mA @ 150V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
პაკეტი / საქმე :
Twin Tower
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Twin Tower