NXP USA Inc. - A2G26H280-04SR3

KEY Part #: K6466660

A2G26H280-04SR3 ფასები (აშშ დოლარი) [786ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$59.10147

Ნაწილი ნომერი:
A2G26H280-04SR3
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. A2G26H280-04SR3 electronic components. A2G26H280-04SR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2G26H280-04SR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2G26H280-04SR3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : A2G26H280-04SR3
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : -
სიხშირე : -
მოიპოვე : -
ძაბვა - ტესტი : -
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : -
Ძალის გამოსავალი : -
ძაბვა - შეფასებული : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NPTB00004A

    M/A-Com Technology Solutions

    HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC.

  • RFM12U7X(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH PW-X.

  • RFM08U9X(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH PW-X.

  • PD57006S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10.

  • PD57030S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.

  • PD85025S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 40V 870MHZ.