Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1-5BIN

KEY Part #: K940323

AS4C16M16D1-5BIN ფასები (აშშ დოლარი) [29325ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.57037
  • 240 pcs$1.56256

Ნაწილი ნომერი:
AS4C16M16D1-5BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, საათი / დრო - რეალურ დროში საათები and მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN electronic components. AS4C16M16D1-5BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M16D1-5BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1-5BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C16M16D1-5BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • W25M02GVZEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25M02GVZEIT TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

  • FM25CL64B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • BR24G1M-3A

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8-DIP-T.

  • AT28HC64B-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 6116LA25SOG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM