Central Semiconductor Corp - CPD69-CMR1-06M-CT

KEY Part #: K6442281

[3187ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    CPD69-CMR1-06M-CT
    მწარმოებელი:
    Central Semiconductor Corp
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GP GPP 1A CHIP FORM 1400.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Central Semiconductor Corp CPD69-CMR1-06M-CT electronic components. CPD69-CMR1-06M-CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CPD69-CMR1-06M-CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CPD69-CMR1-06M-CT პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : CPD69-CMR1-06M-CT
    მწარმოებელი : Central Semiconductor Corp
    აღწერა : DIODE GP GPP 1A CHIP FORM 1400
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : Die
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • CMDD6001 BK

      Central Semiconductor Corp

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

    • MBR1660-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single

    • VS-MURB820-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt