Vishay Siliconix - SI7234DP-T1-GE3

KEY Part #: K6524845

SI7234DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [56446ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.69270
  • 3,000 pcs$0.64838

Ნაწილი ნომერი:
SI7234DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7234DP-T1-GE3 electronic components. SI7234DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7234DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7234DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7234DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 120nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5000pF @ 6V
ძალა - მაქსიმუმი : 46W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ