Ნაწილი ნომერი :
APT25SM120B
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
POWER MOSFET - SIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
72nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
175W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3