თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. TC58NVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG0S3HBAI6

KEY Part #: K940854

TC58NVG0S3HBAI6 ფასები (აშშ დოლარი) [32393ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.92400
Ნაწილი ნომერი:
TC58NVG0S3HBAI6
მწარმოებელი:
Toshiba Memory America, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, ინტერფეისი - ტელეკომი, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , PMIC - ენერგიის გაზომვა, ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, ინტერფეისი - სერიალიზატორი, დესელიზატორები and მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG0S3HBAI6 electronic components. TC58NVG0S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG0S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG0S3HBAI6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TC58NVG0S3HBAI6
მწარმოებელი : Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 1Gb (128M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 25ns
წვდომის დრო : 25ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 67-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 67-VFBGA (6.5x8)

Უახლესი ცნობები

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NDS73PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25LQ032B-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON. NOR Flash 32Mb QSPI, WSON, RoHS

  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

  • AS6C62256A-70SCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

ცხელი ნაწილები