თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. BYV10ED-600PJ

WeEn Semiconductors - BYV10ED-600PJ

KEY Part #: K6440768

BYV10ED-600PJ ფასები (აშშ დოლარი) [3704ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.12043
Ნაწილი ნომერი:
BYV10ED-600PJ
მწარმოებელი:
WeEn Semiconductors
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK. Rectifiers BYV10ED-600P/DPAK
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV10ED-600PJ electronic components. BYV10ED-600PJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV10ED-600PJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV10ED-600PJ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYV10ED-600PJ
მწარმოებელი : WeEn Semiconductors
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2V @ 10A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAT43 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35.

  • SD175SB45A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DIE.

  • SD175SC100A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A DIE.

  • SD175SB45B.T

    SMC Diode Solutions

    PIV 45V IO 30A CHIP SIZE 175MIL.

  • SD165SC150B.T

    SMC Diode Solutions

    PIV 150V IO 30A CHIP SIZE 165MIL.

  • SD125SC150B.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 150V 15A DIE.

ცხელი ნაწილები