Micron Technology Inc. - EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

KEY Part #: K920112

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D ფასები (აშშ დოლარი) [7327ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.25347

Ნაწილი ნომერი:
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ. DRAM LPDDR2 4G 128MX32 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - პირდაპირი ციფრული სინთეზი (DDS), PMIC - RMS to DC გადამყვანი, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ლოგიკა - ბუფერები, მძღოლები, მიმღები, გადამცემები and ინტერფეისი - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D electronic components. EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR2
მეხსიერების ზომა : 4Gb (128M x 32)
საათის სიხშირე : 533MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -