ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R83200F-6TL

KEY Part #: K941118

IS43R83200F-6TL ფასები (აშშ დოლარი) [34321ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.50776
  • 324 pcs$1.50026

Ნაწილი ნომერი:
IS43R83200F-6TL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - კარიბჭის მძღოლები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, საათი / დრო - IC ბატარეები, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები and ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL electronic components. IS43R83200F-6TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R83200F-6TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R83200F-6TL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R83200F-6TL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (32M x 8)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V