Ნაწილი ნომერი :
SUD50N06-09L-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
70nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2650pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3W (Ta), 136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63