Ნაწილი ნომერი :
DMN3016LFDE-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
25.1nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1415pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
730mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
U-DFN2020-6 (Type E)
პაკეტი / საქმე :
6-UDFN Exposed Pad