Ნაწილი ნომერი :
FCMT299N60
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
51nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1948pF @ 380V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Power88
პაკეტი / საქმე :
4-PowerTSFN