S2J ფასები (აშშ დოლარი) [1148910ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.03589
- 3,000 pcs$0.03571
- 6,000 pcs$0.03214
- 15,000 pcs$0.02857
- 30,000 pcs$0.02679
- 75,000 pcs$0.02381
- Ნაწილი ნომერი:
- S2J
- მწარმოებელი:
- ON Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 600V 1.5a Rectifier Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in ON Semiconductor S2J electronic components. S2J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S2J პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S2J
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.15V @ 2A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置