ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32100D-6BL

KEY Part #: K941121

IS43LR32100D-6BL ფასები (აშშ დოლარი) [34342ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.59645
  • 480 pcs$1.58850

Ნაწილი ნომერი:
IS43LR32100D-6BL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 1Mx32, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, PMIC - LED მძღოლები, ინტერფეისი - ტელეკომი, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL electronic components. IS43LR32100D-6BL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR32100D-6BL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32100D-6BL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43LR32100D-6BL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 32Mb (1M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-TFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V