IXYS - IXFH60N50P3

KEY Part #: K6403970

IXFH60N50P3 ფასები (აშშ დოლარი) [12638ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.75036
  • 10 pcs$3.37532
  • 100 pcs$2.77526
  • 500 pcs$2.32522
  • 1,000 pcs$2.02519

Ნაწილი ნომერი:
IXFH60N50P3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 60A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH60N50P3 electronic components. IXFH60N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH60N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH60N50P3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH60N50P3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 60A TO247
სერიები : HiPerFET™, Polar3™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6250pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1040W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AD (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.