Microsemi Corporation - APTGF90DH60T3G

KEY Part #: K6533731

[736ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    APTGF90DH60T3G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGF90DH60T3G electronic components. APTGF90DH60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF90DH60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGF90DH60T3G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTGF90DH60T3G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : NPT
    კონფიგურაცია : Asymmetrical Bridge
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 110A
    ძალა - მაქსიმუმი : 416W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 100A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 4.3nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : Yes
    ოპერაციული ტემპერატურა : -
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : SP3
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT180DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V SOT-227.

    • VS-GT80DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

    • VS-GT100DA120UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

    • VS-GA200SA60UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 200A 500W SOT-227.

    • STGE200N60K

      STMicroelectronics

      IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP.