Vishay Semiconductor Diodes Division - 3N251-E4/51

KEY Part #: K6541826

[12247ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    3N251-E4/51
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 3N251-E4/51 electronic components. 3N251-E4/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3N251-E4/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    3N251-E4/51 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 3N251-E4/51
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 800V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBPM
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBPM

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • E-L6210

      STMicroelectronics

      BRIDGE RECT 1P 50V 2A 16DIP.

    • GBPC15005W/1

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W.

    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • PBPC1007

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

    • PBPC1001

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.