Ნაწილი ნომერი :
SCT2H12NZGC11
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
ტექნოლოგია :
SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
14nC @ 18V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
184pF @ 800V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
35W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-3PFM
პაკეტი / საქმე :
TO-3PFM, SC-93-3