Ნაწილი ნომერი :
IPI60R280C6XKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
13.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 430µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
43nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
950pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO262-3
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA