IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3556SA133BGG

KEY Part #: K936582

Დეტალური აღწერა:: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA. SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: IC ჩიპები, ლოგიკა - მულტივიბრატორი, ინტერფეისი - I / O Expanders, PMIC - ბატარეის დამტენები, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, PMIC - ლაზერული დრაივერი, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული and ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BGG electronic components. 71V3556SA133BGG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3556SA133BGG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 71V3556SA133BGG

მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc

აღწერა : IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : SRAM

ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous ZBT

მეხსიერების ზომა : 4.5Mb (128K x 36)

საათის სიხშირე : 133MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -

წვდომის დრო : 4.2ns

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V

ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 119-BGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 119-PBGA (14x22)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor Corp

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
MR25H10CDC

Everspin Technologies Inc.

IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM
MR45V200BRAZAARL

Rohm Semiconductor

FERAM / 2MBIT 256KB X 8 / SPI. F-RAM FeRAM/2M 256K x 8 DIP8
AT28HC256E-12SU-202

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC.
AT28HC256E-12SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR
AT28HC256E-90SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS IND TEMP