Vishay Siliconix - SIZ904DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522050

SIZ904DT-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [168713ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.21923
  • 3,000 pcs$0.20587

Ნაწილი ნომერი:
SIZ904DT-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3 electronic components. SIZ904DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ904DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ904DT-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIZ904DT-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 435pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 20W, 33W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 6-PowerPair™
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-PowerPair™

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ