Ნაწილი ნომერი :
IRFIB7N50A
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
520 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
52nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1423pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-3
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab