Micron Technology Inc. - MT40A2G4WE-075E:B

KEY Part #: K915808

[2742ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT40A2G4WE-075E:B
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ. DRAM DDR4 8Gbit 4 78/117 TFBGA 1 CT
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE), PMIC - ძაბვის მითითება, ლოგიკა - ცვლის რეგისტრატორები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ინტერფეისი - კონტროლერები, ინტერფეისი - მოდულები and ინტერფეისი - CODEC ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E:B electronic components. MT40A2G4WE-075E:B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT40A2G4WE-075E:B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT40A2G4WE-075E:B პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT40A2G4WE-075E:B
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : DRAM
    ტექნოლოგია : SDRAM - DDR4
    მეხსიერების ზომა : 8Gb (2G x 4)
    საათის სიხშირე : 1.33GHz
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.26V
    ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 71V321L25TFGI

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP. SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

    • W25Q257FVFIG

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • W25Q257FVFIG TR

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • MT41K512M16HA-107 IT:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

    • MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA.

    • MT52L256M32D1PF-093 WT:B

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA.