Infineon Technologies - IPD135N03LGXT

KEY Part #: K6408494

[609ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPD135N03LGXT
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPD135N03LGXT electronic components. IPD135N03LGXT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD135N03LGXT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD135N03LGXT პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPD135N03LGXT
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1000pF @ 15V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 31W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TP0610KL-TR1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRFR3706CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 75A DPAK.

    • FDD6N50FTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK.

    • 2SK3068(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM.

    • 2SK2993(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM.

    • RDX120N50FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM.