Vishay Siliconix - SQS415ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6420490

SQS415ENW-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [200934ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18408

Ნაწილი ნომერი:
SQS415ENW-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3 electronic components. SQS415ENW-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS415ENW-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS415ENW-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQS415ENW-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4825pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 62.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8W
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8W

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ