Micron Technology Inc. - MT40A512M8RH-075E IT:B

KEY Part #: K915916

[11404ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT40A512M8RH-075E IT:B
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - შემსრულებლები, PMIC - ბატარეის დამტენები, ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, PMIC - ძაბვის მითითება, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, PMIC - კარიბჭის მძღოლები and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E IT:B electronic components. MT40A512M8RH-075E IT:B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT40A512M8RH-075E IT:B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT40A512M8RH-075E IT:B პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT40A512M8RH-075E IT:B
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : DRAM
    ტექნოლოგია : SDRAM - DDR4
    მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
    საათის სიხშირე : 1.33GHz
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.26V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IS61LPD51236A-250B3LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

    • W25Q257FVFIG

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • W25Q257FVFIG TR

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • MT41K512M16HA-107 IT:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

    • MT41K512M16HA-107G:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

    • MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ.