ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16800E-6TLI

KEY Part #: K942314

IS43R16800E-6TLI ფასები (აშშ დოლარი) [45618ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.20182
  • 432 pcs$1.19584

Ნაწილი ნომერი:
IS43R16800E-6TLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M (8Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: სპეციალიზებული აივ, PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, საათი / დრო - რეალურ დროში საათები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ and მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TLI electronic components. IS43R16800E-6TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16800E-6TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16800E-6TLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R16800E-6TLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 12ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS25LQ032B-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25Q256JVEIM TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • W25Q256JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25L16B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM

  • CAT25M01YI-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1MB SPI SER CMOS EEPROM