NXP USA Inc. - MMRF1013HSR5

KEY Part #: K6465918

MMRF1013HSR5 ფასები (აშშ დოლარი) [264ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$175.78834
  • 50 pcs$140.97877

Ნაწილი ნომერი:
MMRF1013HSR5
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. MMRF1013HSR5 electronic components. MMRF1013HSR5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMRF1013HSR5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMRF1013HSR5 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MMRF1013HSR5
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : FET RF 2CH 65V 2.9GHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS (Dual)
სიხშირე : 2.9GHz
მოიპოვე : 13.3dB
ძაბვა - ტესტი : 30V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 100mA
Ძალის გამოსავალი : 320W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : NI-1230-4S
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : NI-1230-4S

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.