Microsemi Corporation - JAN1N4970CUS

KEY Part #: K6479774

JAN1N4970CUS ფასები (აშშ დოლარი) [4096ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$10.57320
  • 100 pcs$9.50154

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4970CUS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 33V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4970CUS electronic components. JAN1N4970CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4970CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4970CUS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4970CUS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 33V 5W D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/356
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 33V
ტოლერანტობა : ±2%
ძალა - მაქსიმუმი : 5W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 10 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 25.1V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 1A
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : E-MELF
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • BAV70-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70V 250mA 2A IFSM Dual Common Cathode

  • BAW56-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70V 250mA .5A IFSM Dual Common Anode