Microsemi Corporation - APT45GP120J

KEY Part #: K6532673

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APT45GP120J electronic components. APT45GP120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT45GP120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APT45GP120J

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : IGBT 1200V 75A 329W SOT227

სერიები : POWER MOS 7®

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : PT

კონფიგურაცია : Single

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 75A

ძალა - მაქსიმუმი : 329W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.94nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : No

ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : ISOTOP

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
A2C25S12M3-F

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.