[7382ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- RGP10KE-M3/54
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10KE-M3/54 electronic components. RGP10KE-M3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10KE-M3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGP10KE-M3/54 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
RGP10KE-M3/54
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.3V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
250ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-204AL (DO-41)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-5EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast
-
VS-APH3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast
-
V20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK. Rectifiers 1200V 8A TO-263 HexFred
ცხელი ნაწილები
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T
选择你的位置