S29GL512S10DHSS40 ფასები (აშშ დოლარი) [16028ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.85887
- Ნაწილი ნომერი:
- S29GL512S10DHSS40
- მწარმოებელი:
- Cypress Semiconductor Corp
- Დეტალური აღწერა:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, ინტერფეისი - პირდაპირი ციფრული სინთეზი (DDS), მეხსიერება, ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები, ინტერფეისი - ტელეკომი, ლოგიკა - ლატჩები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის and PMIC - მძღოლები, კონტროლერები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10DHSS40 electronic components. S29GL512S10DHSS40 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S10DHSS40, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S10DHSS40 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S29GL512S10DHSS40
მწარმოებელი :
Cypress Semiconductor Corp
აღწერა :
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
სერიები :
GL-S
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH
ტექნოლოგია :
FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა :
512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
60ns
წვდომის დრო :
100ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
0°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
64-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
64-FBGA (9x9)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
ცხელი ნაწილები
- CY7C024-25JXCT
- AT27LV520-70XU
- AT49BV320C-70TU
- NAND256W4A0AN6E
- AT49LV040-70TI
- AT45DB011-XC
- AT45D161-JI
- AT28C010-15SC
- VM29LV040B-120JC
- 7005S15J/2917
- 709279L15PFI
- MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
- W25Q256FVBIP
- MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
- S25FL116K0XMFIS11
- IS45S16160D-7BLA1-TR
- MT44K16M36RB-107E:A TR
- M25P32-VMW3TGB TR
- IS42S32400D-7B
- NAND01GW3B2AZA6E
- MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
- MT42L256M32D4MG-3 IT:A
- CY7C1313TV18-167BZC
- STK14C88-3WF35
- M29W128GSL70ZS6E
- IDT71V432S7PF
- IDT71V2556S133PFI
- 7130SA35PF
- 70V9099L9PF
- IDT6116SA20TPI
- CY7C1512AV18-250BZXIT
- IS42S32200E-6BL
- M27W401-80N6
- M27C4002-15F1
- IS42S16400D-7TL
- S29XS256RABBHI000
- S29GL128P10FFI0202
- S29AL016J70TFA023
- S25FL164K0XMFA013
- MX25L8008EZUI-12G
选择你的位置